I ricercatori hanno prodotto un nuovo materiale a base di nitruro di boro amorfo formato da un solo strato di atomi che può rivoluzionare la tecnologia dei semiconduttori a base di silicio
Il Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha lavorato recentemente sullo sviluppo di materiali 2D cristallini con un singolo strato di atomi. Il primo obiettivo è stato il grafene, materiale a base di carbonio dalle eccellenti proprietà elettroniche e fisiche. Uno degi risultati è lo sviluppo di un transistor rivoluzionario insieme alla progettazione di nuovi metodi di produzione su larga scala. L’esperienza pregressa ha permesso al SAIT di indagare anche altri materiali, come il nitruro di boro.
Potrebbe interessarti anche —> Inventata la schermatura elettromagnetica più leggera al mondo
La ricerca, in collaborazione tra il SAIT, l’Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) e l’University of Cambridge, ha prodotto un materiale chiamato nitruro di boro amorfo. Lo studio è stato pubblicato sulla rivista Nature e rappresenta una grande opportunità per accelerare lo sviluppo della nuova generazione di semiconduttori. Il materiale è formato da atomi di boro e azoto disposti nello spazio senza un odrine prestabilito, concettualmente contrario al grafene. Il nitruro di boro amorfo ha la costante dielettrica più bassa tra i materiali della sua classe.
Potrebbe interessarti anche —> Un nuovo supercapacitore apre le porte all’elettronica indossabile
Il materiale ha anche ottime proprietà meccaniche ed elettriche e può essere utilizzato come isolante interconnesso per minimizzare le interferenze elettroniche nei più comuni semiconduttori. Il nitruro di boro amorfo è ottenuto come wafer a basse temperature (inferiori a 400°C). Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni in semiconduttori come le DRAM (memorie dei PC), NAND (memorie flash) e memorie per server di grandi dimensioni. Seongjun Park, vice presidente e capo dell’Inorganic Material Lab del SAIT promette: “Continueremo a sviluppare nuovi materiali per guidare la rivoluzione degli schemi dei semiconduttori“.